(1)提高位錯在滑移界面運動的阻力，即增加滑移式變形機構(gòu)的形變抗力。

(2)減緩位錯的擴散型運動進程，以按捺擴散型形變機構(gòu)的進行。

(3)改進晶體結(jié)構(gòu)狀態(tài)，以增加晶界強化作用;或是撤銷晶界，以消除晶界在高溫時的薄弱環(huán)節(jié)。